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高纯度硅晶片

高纯度硅晶片

详细介绍

高纯度硅晶片

规格:


● 制造方法:CZ法

● 平面方位:100

● OF位置:110

● 电阻值:0.1~100Ω・cm ※低电阻:≦0.02Ω・cm、高电阻:≧500Ω・cm

● 粒子:2-960-01~08/不论粒子、 2-960-51~62/≧0.3um、10个以下


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相关标签:实验室、无菌室用品,starrett,施泰力

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